シリコンウェーハは、インゴットからスライシング工程、グラインディング工程を経て、研磨工程に入り、洗浄工程などを経て製造されます。
ここでの研磨は、グラインディング工程により発生した欠陥層の除去が大きな役割となります。さらに、仕上がりとして、高平坦性・無欠陥・無汚染表面が要求されます。研磨により、ウェーハ表面の粗さは、ナノメートルレベルまで平滑化され、鏡状でピカピカな表面になります。
半導体デバイスウェーハは、シリコンウェーハ上にサブミクロンの配線が施され半導体チップとなります。その配線は幾重にも重ねられることで凹凸ができ、平坦化が必要となります。ここでも研磨が行われ、配線による凹凸除去が大きな役割となります。